SIZ926DT-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050819053
- Артикул
- SIZ926DT-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.1
- Серия
- SIZ
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 241,36 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 6 x 5
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | SIZ |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 8 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | PowerPAIR-6x5-8 |
| Qg - заряд затвора | 12.5 nC, 27 nC |
| Время нарастания | 20 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 20.2 W, 40 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 40 A, 60 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, 16 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.2 mOhms, 4.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns, 17 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns, 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |