SiZ918DT-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070113262
- Артикул
- SiZ918DT-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.1
- Серия
- SIZ
- Channel Type
- N
- Package Type
- PowerPAIR
Цена по запросу
(от 187,82 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | SIZ |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAIR |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 10 ns, 10 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | PowerPAIR-6x5-8 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 14 nC, 67.3 nC |
| Время нарастания | 12 ns, 22 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 16 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 29 W, 100 W |
| Другие названия товара № | SIZ918DT-GE3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 16 A, 28 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12 mOhms, 3.7 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns, 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns, 15 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V, 1.2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 47 S, 116 S |