Моя заявка (0)
SIZ350DT-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062434532
Артикул
SIZ350DT-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Width
3mm
Series
TrenchFET
Pin Count
8
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы TrenchFET® поколения IV с высокой и низкой нагрузкой образуют оптимизированную комбинацию, обеспечивающую 50%-ный рабочий цикл

Технические параметры

Width3mm
SeriesTrenchFET
Pin Count8
Вес, г0.1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePowerPAIR 3x3
Mounting TypeSurface Mount
Transistor MaterialSi
Forward Diode Voltage1.2V
Квалификация-
Maximum Power Dissipation16.7 W
Typical Gate Charge @ Vgs13.5 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-12 V, +16 V
Number of Elements per Chip2
Power Dissipation N Channel16.7Вт
Power Dissipation P Channel16.7Вт
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage1V
Minimum Gate Threshold Voltage2.4V
Maximum Drain Source Resistance9 mΩ
Maximum Continuous Drain Current30 A
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV Series
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока30А
Рассеиваемая Мощность16.7Вт
Drain Source On State Resistance N Channel0.00563Ом
Drain Source On State Resistance P Channel0.00563Ом
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAIR
Непрерывный Ток Стока, N Канал30А
Непрерывный Ток Стока, P Канал30А
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал30В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал30В
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.00563Ом

Техническая документация