SIZ348DT-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062434535
- Артикул
- SIZ348DT-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 3mm
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.1
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
Технические параметры
| Width | 3mm |
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | SIZ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAIR 3x3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 10 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 16.7 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12.1 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | PowerPAIR-3x3-8 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Qg - заряд затвора | 18.2 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 10 mΩ |
| Время нарастания | 25 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 16.7 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAIR |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.12 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 46 S |