SIZ342BDT-T1-GE3, MOSFETs PPAIR3X3 2NCH 30V 15.4A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8040599441
- Артикул
- SIZ342BDT-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Q(g)
- 8.4 nC
- V(DS)
- 30 V
- P(tot)
- 16.7 W
- Package
- PPAIR3x3
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Q(g) | 8.4 nC |
| V(DS) | 30 V |
| P(tot) | 16.7 W |
| Package | PPAIR3x3 |
| R(thJC) | 7.5 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Automotive | NO |
| Technology | TrenchFET |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Configuration | N-CH |
| RDS(on)at 10V | 71 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 32.9 A |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 45mΩ@5A, 10V |