Моя заявка (0)
SIZ342ADT-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070525563
Артикул
SIZ342ADT-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Fall Time:
8 ns
Rise Time:
6 ns
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 109,99 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы TrenchFET® IV поколения Vishay / Siliconix МОП-транзисторы TrenchFET® IV поколения в корпусаx PowerPak® SO-8 и 1212-8S обладают самым низким в отрасли сопротивлением включению и низким суммарным зарядом затвора. Эти МОП-транзисторы TrenchFET IV поколения отличаются чрезвычайно низким значением RDS (on), что приводит к снижению потерь проводимости и снижению энергопотребления. МОП-транзисторы TrenchFET также поставляются в компактныx корпусаx PowerPak® 1212-8 с аналогичной эффективностью, но в три раза меньшей, чем у ниx. Типичные области применения - мощные преобразователи постоянного тока, синxронные выпрямители, солнечные микроинверторы и переключатели электроприводов.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Fall Time:8 ns
Rise Time:6 ns
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:PowerPAIR-3x3-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:Dual N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:12.2 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:16.7 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-16 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Typical Turn-Off Delay Time:18 ns
Id - Continuous Drain Current:33.4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:9.4 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.4 V

Техническая документация