SIZ340DT-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017613767
- Артикул
- SIZ340DT-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.1
- Configuration
- Half Bridge
- Структура
- MOSFET
- Transistor Polarity
- Dual N Channel; Continuous Drain Current Id
Цена по запросу
(от 90,67 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, ДВОЙНОЙ N-канальный, 30 В, 40 А, POWERPAIR; Полярность транзистора: Двуxканальный N-канальный; Постоянный ток стока Id: 40 А; Напряжение источника стока Vds: 30 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,0042 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs: 10 В; Пороговое напряжение
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Configuration | Half Bridge |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | Dual N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Power Dissipation (Pd) | 16.7W;31W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 19nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 760pF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 30A;40A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 9.5mΩ@15.6A, 10V |