SIZ340BDT-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017669844
- Артикул
- SIZ340BDT-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 47,71 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двуxканальный МОП-транзистор Vishay на 30 В (D-S). Протестирован на 100% Rg и UIS
Технические параметры
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAIR 3x3S |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Power Dissipation N Channel | 31Вт |
| Power Dissipation P Channel | 31Вт |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.00856 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 69.3 A |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV Series |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 69.3А |
| Рассеиваемая Мощность | 31Вт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.00359Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.00359Ом |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAIR |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 69.3А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 69.3А |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.00359Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 16.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00359 Ом |