Моя заявка (0)
SIZ340BDT-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017669844
Артикул
SIZ340BDT-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Series
TrenchFET
Pin Count
8
Вес, г
0.1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 47,71 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Двуxканальный МОП-транзистор Vishay на 30 В (D-S). Протестирован на 100% Rg и UIS

Технические параметры

SeriesTrenchFET
Pin Count8
Вес, г0.1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePowerPAIR 3x3S
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
Особенности-
Number of Elements per Chip2
Power Dissipation N Channel31Вт
Power Dissipation P Channel31Вт
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Gate Threshold Voltage2.4V
Maximum Drain Source Resistance0.00856 Ω
Maximum Continuous Drain Current69.3 A
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV Series
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока69.3А
Рассеиваемая Мощность31Вт
Drain Source On State Resistance N Channel0.00359Ом
Drain Source On State Resistance P Channel0.00359Ом
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAIR
Непрерывный Ток Стока, N Канал69.3А
Непрерывный Ток Стока, P Канал69.3А
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал30В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал30В
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.00359Ом
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт16.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.00359 Ом

Техническая документация