SIZ260DT-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET x2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025881998
- Артикул
- SIZ260DT-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 25 ns, 20 ns
- Rise Time:
- 55 ns, 42 ns
- Tradename:
- TrenchFET
Цена по запросу
(от 180,18 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двуxмоп-транзисторы PowerPAIR® Двуxмоп-транзисторы Vishay PowerPAIR ® объединяют оптимизированные комбинации МОП-транзисторов в одном компактном корпусе. Объединенные два МОП-транзистора PowerPAIR занимают меньше места и обеспечивают повышенную производительность по сравнению с отдельными модулями. Благодаря тому, что два МОП-транзистора уже подключены внутри корпуса PowerPAIR, упрощается компоновка и снижается паразитная индуктивность на печатной плате, что повышает эффективность.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 25 ns, 20 ns |
| Rise Time: | 55 ns, 42 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | PowerPAIR 3x3S |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAIR-3x3-8 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13.1 nC, 13.3 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 33 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Power Dissipation N Channel | 33Вт |
| Power Dissipation P Channel | 33Вт |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 24.7 A, 24.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 8.9 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 24.5 mOhms, 24.7 mOhms |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV Series |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Непрерывный Ток Стока | 24.7А |
| Рассеиваемая Мощность | 33Вт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.0204Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.0204Ом |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAIR |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 24.7А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 24.7А |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@1mA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 80В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 80В |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0204Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 4.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |