SIZ254DT-T1-GE3, Dual MOSFET, N Channel, 70 V, 70 V, 32.5 A, 32.5 A, 0.0129 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007311731
- Артикул
- SIZ254DT-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.5
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 245 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двуxканальный МОП-транзистор Vishay на 70 В (D-S). Протестирован на 100% Rg и UIS
Технические параметры
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAIR 3x3S |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 70 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0161 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 32.5 A |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 32.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 33Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 70В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAIR 3x3S |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 70 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0129Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 32.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0129 Ом |