Моя заявка (0)
SIZ250DT-T1-GE3, MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V PowerPAIR 3 x 3S

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004641857
Артикул
SIZ250DT-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Fall Time:
7 ns, 12 ns
Rise Time:
60 ns, 50 ns
Tradename:
TrenchFET
Цена по запросу
(от 149,68 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Двуxмоп-транзисторы PowerPAIR® Двуxмоп-транзисторы Vishay PowerPAIR ® объединяют оптимизированные комбинации МОП-транзисторов в одном компактном корпусе. Объединенные два МОП-транзистора PowerPAIR занимают меньше места и обеспечивают повышенную производительность по сравнению с отдельными модулями. Благодаря тому, что два МОП-транзистора уже подключены внутри корпуса PowerPAIR, упрощается компоновка и снижается паразитная индуктивность на печатной плате, что повышает эффективность.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Fall Time:7 ns, 12 ns
Rise Time:60 ns, 50 ns
Tradename:TrenchFET
Вес, г0.14
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerPAIR-3x3S-8
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:13.5 nC, 13.4 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностиполевая сборка
Pd - Power Dissipation:33 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:22 ns
Typical Turn-Off Delay Time:22 ns, 24 ns
Id - Continuous Drain Current:38 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:12.2 mOhms, 1.27 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация