Моя заявка (0)

SIUD401ED-T1-GE3,Power MOSFET, P Channel, 30 V, 500 mA, 1.23 ohm, PowerPAK 0806, Surface Mount

SIUD401ED-T1-GE3,Power MOSFET, P Channel, 30 V, 500 mA, 1.23 ohm, PowerPAK 0806, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000980758
Артикул
SIUD401ED-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
MSL
MSL 1-Unlimited
Case
PowerPAK® 0806-3
Mounting
SMD
Technology
TrenchFET®
Цена по запросу
(от 51 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полярность транзистора: Канал P; Постоянный ток стока Id: -500 мА; Напряжение источника стока Vds: -30 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 1,23 Ом; Тестовое напряжение Rds (вкл.) Vgs: -10 В; Пороговое напряжение Vgs:-

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
CasePowerPAK® 0806-3
MountingSMD
TechnologyTrenchFET®
Вес, г1
Gate charge2nC
No. of Pins3Pins
Channel TypeP Channel
Polarisationunipolar
Drain current-0.5A
Product RangeTrenchFET Gen III
Kind of channelenhancement
Kind of packagereel, tape
Power dissipation1.25W
Type of transistorP-MOSFET
СтруктураP-Channel
Gate-source voltage±12V
On-state resistance3.5Ω
Transistor MountingSurface Mount
Drain-source voltage-30V
Pulsed drain current-1A
Transistor Case StylePowerPAK 0806
Особенности-
Drain Source Voltage Vds30V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id500mA
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)10V

Техническая документация