SISS80DN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 169A; Idm: 300A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043675315
- Артикул
- SISS80DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 65Вт
- Квалификация
- -
Цена по запросу
(от 259,76 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 65Вт |
| Квалификация | - |
| Drain Source On State Resistance | 760мкОм |
| Линейка Продукции | - |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 210А |
| Рассеиваемая Мощность | 65Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212-8S |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 760мкОм |