Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 67.4 A, 70 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SiSS76LDN-T1-GE3

N-Channel MOSFET, 67.4 A, 70 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SiSS76LDN-T1-GE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030469873
Артикул
SiSS76LDN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
PowerPAK 1212-8S
Цена по запросу
(от 155,22 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор Vishay напряжением 70 В (D-S) имеет тип корпуса PowerPak 1212-8S. Силовой МОП-транзистор TrenchFET® Gen IV.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypePowerPAK 1212-8S
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Power Dissipation (Pd)4.8W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)25nC@35V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)2.78nF@35V
Maximum Drain Source Voltage70 V
Continuous Drain Current (Id)67.4A
Maximum Gate Threshold Voltage0.4 → 1.6V
Maximum Drain Source Resistance0.0052 Ω
Maximum Continuous Drain Current67.4 A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)33.5pF@35V
Пороговое напряжение на затворе1.6V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В70
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А67.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.00625Ω@4.5V, 67.4A

Техническая документация