P-Channel MOSFET, 16.2 A, 150 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS73DN-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024317518
- Артикул
- SISS73DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 3.3mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальный МОП-транзистор напряжением 150 В (D-S). Транзистор TrenchFET® с теxнологией ThunderFET с очень низким RDS (вкл.) минимизирует потери мощности из-за проводимости, не определенной
Технические параметры
| Width | 3.3mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | PowerPAK 1212-8S |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 65.8 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14.6 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 125 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 16.2 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |