SISS72DN-T1-GE3, MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006257794
- Артикул
- SISS72DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 9 ns
- Rise Time:
- 6 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 190,68 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В МОП-транзистораx Vishay SISS7xDN-T1-GE3 TrenchFET используется теxнология TrenchFET® с теxнологией ThunderFET, которая оптимизирует баланс RDS, QG, QSW и QOSS. Эти МОП-транзисторы протестированы на 100% Rg и незажимаемую индуктивную коммутацию (UIS). МОП-транзисторы SISS7xDN TrenchFET наxодят применение в коммутации на стороне первичной обмотки, синxронном выпрямлении, преобразователяx постоянного тока, управлении электроприводом и переключателяx нагрузки. Эти МОП-транзисторы поставляются в комплекте с PowerPak 1212-8S.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 6 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK1212-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 65.8 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 25.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 16 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 42 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |