Моя заявка (0)

SISS66DN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 42.1W

SISS66DN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 42.1W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070122854
Артикул
SISS66DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1
Channel Type
N Channel+Schottky
Power Dissipation
65.8Вт
Технология
Si
Цена по запросу
(от 166,43 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Channel 30 V (D-S) МОП-транзистор with Schottky Diode

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN Channel+Schottky
Power Dissipation65.8Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада8 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокPowerPAK-1212-8
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора57 nC
Время нарастания8 ns
Drain Source On State Resistance0.00115Ом
Линейка ПродукцииTrenchFET
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов8вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока178.3А
Рассеиваемая Мощность65.8Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Pd - рассеивание мощности65.8 W
Id - непрерывный ток утечки178.3 A
Коммерческое обозначениеPowerPAK
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK 1212
Vgs - напряжение затвор-исток16 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.38 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения35 ns
Типичное время задержки при включении18 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.00115Ом
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.84 S

Техническая документация