SISS64DN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038868973
- Артикул
- SISS64DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 57Вт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 200 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 57Вт |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 36W |
| Особенности | TrenchFET |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 21nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.42nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 40A |
| Drain Source On State Resistance | 0.0018Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 81pF@15V |
| Непрерывный Ток Стока | 40А |
| Рассеиваемая Мощность | 57Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0018Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0021Ω@10V |