SISS61DN-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070061911
- Артикул
- SISS61DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- PowerPAK® 1212-8
- Mounting
- SMD
- Technology
- TrenchFET®
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 141,61 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальный МОП-транзистор на 20 В (D-S). TrenchFET® Gen III p-канальный силовой МОП-транзистор Leadership RDS (вкл.) в компактном и термически улучшенном корпусе.
Технические параметры
| Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Mounting | SMD |
| Technology | TrenchFET® |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 231nC |
| Channel Type | P Channel |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | -89.6A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power Dissipation | 65.8Вт |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±8V |
| On-state resistance | 9.8mΩ |
| Drain-source voltage | -20V |
| Pulsed drain current | -200A |
| Drain Source On State Resistance | 0.0029Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen III |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 111.9А |
| Рассеиваемая Мощность | 65.8Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 900мВ |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0029Ом |