Моя заявка (0)

SISS61DN-T1-GE3, Power MOSFET, P Channel, 20 V, 111.9 A, 0.0029 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount

SISS61DN-T1-GE3, Power MOSFET, P Channel, 20 V, 111.9 A, 0.0029 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001502889
Артикул
SISS61DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Case
PowerPAK® 1212-8
Mounting
SMD
Technology
TrenchFET®
Вес, г
3.5
Цена по запросу
(от 248 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

P-канальный МОП-транзистор на 20 В (D-S). TrenchFET® Gen III p-канальный силовой МОП-транзистор Leadership RDS (вкл.) в компактном и термически улучшенном корпусе.

Технические параметры

CasePowerPAK® 1212-8
MountingSMD
TechnologyTrenchFET®
Вес, г3.5
Gate charge231nC
Channel TypeP Channel
ManufacturerVISHAY
Polarisationunipolar
Drain current-89.6A
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Power Dissipation65.8Вт
Type of transistorP-MOSFET
СтруктураP-Channel
Gate-source voltage±8V
On-state resistance9.8mΩ
Drain-source voltage-20V
Pulsed drain current-200A
Особенности-
Drain Source On State Resistance0.0029Ом
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen III
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока111.9А
Рассеиваемая Мощность65.8Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs900мВ
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK 1212
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0029Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А111.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0029 Ом

Техническая документация