SISS Type N-Channel MOSFET, 66.6 A, 80 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5808DN-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8051021225
- Артикул
- SISS5808DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand
- Vishay
- Series
- SISS
- Pin Count
- 8
- Mount Type
- Surface
Цена по запросу
(от 520,62 ₽)
Минимальный заказ: 4 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Vishay - это N-канальный МОП-транзистор, и транзистор в нем изготовлен из материала, известного как кремний.
Технические параметры
| Brand | Vishay |
| Series | SISS |
| Pin Count | 8 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | 1212-8S |
| Product Type | MOSFET |
| Структура | Type N |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | RoHS |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65.7W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 24nC |
| Maximum Operating Temperature | 150°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 66.6A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00745Ω |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 66.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |