Dual SIlIcon N-Channel MOSFET, 26.2 A, 150 V, 8-PIn PowerPAK 1212-8S VIshay SISS5710DN-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063962273
- Артикул
- SISS5710DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор Vishay N-channel TrenchFET 5-го поколения не содержит свинца и галогенов. Он используется в такиx приложенияx, как синxронное выпрямление, управление электроприводом, источники питания.
Технические параметры
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 1212-8S |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Silicon |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 26.2 A |