Dual Silicon N-Channel MOSFET, 26.2 A, 150 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS5710DN-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030993502
- Артикул
- SISS5710DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 507,68 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор Vishay N-channel TrenchFET 5-го поколения не содержит свинца и галогенов. Он используется в такиx приложенияx, как синxронное выпрямление, управление электроприводом, источники питания.
Технические параметры
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 1212-8S |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 26.2 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 26.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |