SISS5708DN-T1-BE3,Power MOSFET, N Channel, 150 V, 33.8 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8059541094
- Артикул
- SISS5708DN-T1-BE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Q(g)
- 12.8 nC
- V(DS)
- 150 V
- P(tot)
- 65.7 W
- Package
- PPAK1212-8
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Q(g) | 12.8 nC |
| V(DS) | 150 V |
| P(tot) | 65.7 W |
| Package | PPAK1212-8 |
| R(thJC) | 1.5 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Automotive | NO |
| Technology | TrenchFET |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Configuration | N-CH |
| RDS(on)at 10V | 19 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 33.8 A |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 33.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.023 Ом |