Моя заявка (0)

TrenchFET N-Channel MOSFET, 185.6 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SiSS54DN-T1-GE3

TrenchFET N-Channel MOSFET, 185.6 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SiSS54DN-T1-GE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014570906
Артикул
SiSS54DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Series
TrenchFET
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 375,11 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 30-вольтовый (D-S) МОП-транзистор Vishay. Протестирован на 100% Rg и UIS

Технические параметры

SeriesTrenchFET
Pin Count8
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePowerPAK 1212-8SH
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation65.7Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
ОсобенностиTrenchFET
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Gate Threshold Voltage2.2V
Maximum Drain Source Resistance0.00106 Ω
Drain Source On State Resistance880мкОм
Maximum Continuous Drain Current185.6 A
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока185.6А
Пороговое Напряжение Vgs2.2В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK 1212-8S
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А185.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация