SISS54DN-T1-GE3, MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 51.1A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008865514
- Артикул
- SISS54DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.5
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 273 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 30-вольтовый (D-S) МОП-транзистор Vishay. Протестирован на 100% Rg и UIS
Технические параметры
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | PowerPAK 1212-8SH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 65.7Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.00106 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 880мкОм |
| Maximum Continuous Drain Current | 185.6 A |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 185.6А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212-8S |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 51.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |