SISS52DN-T1-GE3, 30V 1.2mOhm@20A,10V 2.2V@250uA N Channel 2950pF@15V 65nC@10V -55°C~+150°C@(Tj) PowerPAK1212-8SH MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073837498
- Артикул
- SISS52DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.4
- Channel Type
- N Channel
- Package Type
- PowerPAK 1212-8S
Цена по запросу
(от 580 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор Vishay напряжением 30 В (D-S) имеет тип корпуса PowerPak 1212-8S. Мощный МОП-транзистор TrenchFET поколения V
Технические параметры
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.4 |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | PowerPAK 1212-8S |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 57Вт |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1 → 2.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.00095 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 950мкОм |
| Maximum Continuous Drain Current | 162 A |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen V |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 162А |
| Рассеиваемая Мощность | 57Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212-8S |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 950мкОм |