Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 162 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SiSS52DN-T1-GE3

N-Channel MOSFET, 162 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SiSS52DN-T1-GE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014546746
Артикул
SiSS52DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
PowerPAK 1212-8S
Цена по запросу
(от 216,66 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор Vishay напряжением 30 В (D-S) имеет тип корпуса PowerPak 1212-8S. Мощный МОП-транзистор TrenchFET поколения V

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypePowerPAK 1212-8S
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation57Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Gate Threshold Voltage1 → 2.2V
Maximum Drain Source Resistance0.00095 Ω
Drain Source On State Resistance950мкОм
Maximum Continuous Drain Current162 A
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen V
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока162А
Рассеиваемая Мощность57Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.2В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK 1212-8S
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)950мкОм
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А162
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт4.8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация