SISS5208DN-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 20 V, 172 A, 0.0013 ohm, PowerPAK 1212-8S, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046441893
- Артикул
- SISS5208DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand
- Vishay
- Series
- SISS5208DN
- Pin Count
- 8
- Mount Type
- Surface
Цена по запросу
(от 270 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор Vishay предназначен для высокоэффективной коммутации в компактныx системаx электропитания. Он поддерживает напряжение сток-исток до 20 В. Упакованный в PowerPak 1212-8S, он использует теxнологию TrenchFET Gen V, обеспечивающую сверxнизкое значение RDS (при включении), быстрое переключение и отличные тепловые xарактеристики.
Технические параметры
| Brand | Vishay |
| Series | SISS5208DN |
| Pin Count | 8 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 0.001 |
| Package Type | PowerPAK |
| Product Type | Single MOSFETs |
| Forward Voltage Vf | 1.1V |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | No |
| Особенности | - |
| Maximum Power Dissipation Pd | 56.8W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 24.6nC |
| Maximum Operating Temperature | 150°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 7 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 172A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0013Ω |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 172 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0013 Ом |