Моя заявка (0)

Vishay Silicon N-Channel MOSFET, 55.9 A, 100 V, 8-Pin 1212-8S SISS5110DN-T1-GE3

Vishay Silicon N-Channel MOSFET, 55.9 A, 100 V, 8-Pin 1212-8S SISS5110DN-T1-GE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8067874583
Артикул
SISS5110DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1
No. of Pins
8Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
TrenchFET Series
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1
No. of Pins8Pins
Channel TypeN Channel
Product RangeTrenchFET Series
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8S
Drain Source Voltage Vds100V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id46.4A
Gate Source Threshold Voltage Max4V

Техническая документация