Silicon N-Channel MOSFET, 55.9 A, 100 V, 8-Pin 1212-8S SISS5110DN-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8051001661
- Артикул
- SISS5110DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- No. of Pins
- 8Pins
- Channel Type
- N Channel
- Product Range
- TrenchFET Series
Цена по запросу
(от 410,68 ₽)
Минимальный заказ: 4 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| No. of Pins | 8Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Product Range | TrenchFET Series |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Case Style | PowerPAK 1212-8S |
| Особенности | - |
| Drain Source Voltage Vds | 100V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Drain Current Id | 46.4A |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 55.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |