SISS5110DN-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 46.4 A, 0.0105 ohm, PowerPAK 1212-8S, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046391422
- Артикул
- SISS5110DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.001
- No. of Pins
- 8Pins
- Channel Type
- N Channel
- Product Range
- TrenchFET Series
Цена по запросу
(от 273 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| No. of Pins | 8Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Product Range | TrenchFET Series |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Case Style | PowerPAK 1212-8S |
| Особенности | - |
| Drain Source Voltage Vds | 100V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Drain Current Id | 46.4A |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 46.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 56.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 10V |