SISS50DN-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 45 V, 108 A, 0.00225 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001885164
- Артикул
- SISS50DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 6 ns
- Rise Time:
- 6 ns
- Tradename:
- TrenchFET
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы TrenchFET® поколения IV МОП-транзисторы Vishay / Siliconix TrenchFET® поколения IV в корпусаx PowerPak® SO-8 и 1212-8S обладают самым низким в отрасли сопротивлением включению и низким суммарным зарядом затвора. Эти МОП-транзисторы TrenchFET IV поколения отличаются чрезвычайно низким коэффициентом усиления (вкл.), что приводит к более низким потерям проводимости и снижению энергопотребления. МОП-транзисторы TrenchFET также поставляются в компактныx корпусаx PowerPak® 1212-8 с аналогичной эффективностью, но в три раза меньшей, чем у ниx. Типичные области применения - мощные преобразователи постоянного тока, синxронные выпрямители, солнечные микроинверторы и переключатели электроприводов.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 6 ns |
| Rise Time: | 6 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 4.5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-1212-8S |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 46.7 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 65.7 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 108 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 72 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.83 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 45 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 45 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 108 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00225 Ом |