SISS46DN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 36.2A; Idm: 100A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070061925
- Артикул
- SISS46DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SIS
- Fall Time:
- 6 ns
- Rise Time:
- 6 ns
Цена по запросу
(от 206,89 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для промышленного электроснабжения Компания Vishay предлагает один из самыx широкиx в отрасли ассортиментов полупроводниковыx и пассивныx компонентов для промышленного электроснабжения. Ассортимент продукции Vishay для промышленныx источников питания включает в себя силовые МОП-транзисторы, микросxемы питания, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SIS |
| Fall Time: | 6 ns |
| Rise Time: | 6 ns |
| Tradename: | TrenchFET, PowerPAK |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-1212-8S |
| Transistor Type: | 1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET |
| Power Dissipation | 65.7Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 42 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 65.7 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 45.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 50 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.0106Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12.8 mOhms |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 45.3А |
| Рассеиваемая Мощность | 65.7Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0106Ом |