Моя заявка (0)
SISS42LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070047852
Артикул
SISS42LDN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1
Серия
SIS
Channel Type
N Channel
Package Type
PowerPAK 1212-8S
Цена по запросу
(от 165,95 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Nch 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

Технические параметры

Вес, г1
СерияSIS
Channel TypeN Channel
Package TypePowerPAK 1212-8S
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation57Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада5 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокPowerPAK-1212-8S
Maximum Drain Source Voltage100 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора48 nC
Время нарастания5 ns
Drain Source On State Resistance0.0122Ом
Maximum Continuous Drain Current11.3 A
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов8вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока39А
Рассеиваемая Мощность57Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Pd - рассеивание мощности57 W
Id - непрерывный ток утечки39 A
Коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK 1212
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток14.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения26 ns
Типичное время задержки при включении12 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0122Ом
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.70 S

Техническая документация