Моя заявка (0)

SISS32ADN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 120A

SISS32ADN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50.3A; Idm: 120A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070047851
Артикул
SISS32ADN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
PowerPAK 1212-8S
Цена по запросу
(от 176,36 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор Vishay напряжением 80 В (D-S) выполнен в корпусе PowerPak 1212-8S с током стока 63 А. Силовой МОП-транзистор TrenchFET IV поколения

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypePowerPAK 1212-8S
Mounting TypeSurface Mount
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage80 V
Maximum Gate Threshold Voltage2 → 3.6V
Maximum Drain Source Resistance0.0061 Ω
Maximum Continuous Drain Current63 A

Техническая документация