SISS30ADN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 43.5A; Idm: 120A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062309042
- Артикул
- SISS30ADN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
- Package Type
- PowerPAK 1212-8S
Цена по запросу
(от 95 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор Vishay напряжением 80 В (D-S) выполнен в корпусе PowerPak 1212-8S с током стока 54,7 А. Силовой МОП-транзистор TrenchFET IV поколения
Технические параметры
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 1212-8S |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation (Pd) | 4.8W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 23nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.295nF@40V |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 54.7A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2 → 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0074 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 54.7 A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 30pF@40V |