N-Channel MOSFET, 54.7 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SiSS30ADN-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014546745
- Артикул
- SiSS30ADN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
- Package Type
- PowerPAK 1212-8S
Цена по запросу
(от 290 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор Vishay напряжением 80 В (D-S) выполнен в корпусе PowerPak 1212-8S с током стока 54,7 А. Силовой МОП-транзистор TrenchFET IV поколения
Технические параметры
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 1212-8S |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 4.8W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 23nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.295nF@40V |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 54.7A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2 → 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0074 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 54.7 A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 30pF@40V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 54.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 4.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0089Ω@10V, 54.7A |