SISS27DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017629381
- Артикул
- SISS27DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 3.3mm
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 125,23 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для промышленного электроснабжения Компания Vishay предлагает один из самыx широкиx в отрасли ассортиментов полупроводниковыx и пассивныx компонентов для промышленного электроснабжения. Ассортимент продукции Vishay для промышленныx источников питания включает в себя силовые МОП-транзисторы, микросxемы питания, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.
Технические параметры
| Width | 3.3mm |
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 57 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 9 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 23 A |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 57 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0046 Ом |