SISS26LDN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 65A; Idm: 150A; 36W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038868971
- Артикул
- SISS26LDN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 57Вт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 280 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор напряжением 60 В (D-S). Мощный МОП-транзистор TrenchFET® поколения IV с очень низким коэффициентом полезного действия RDS x Qg (FOM), настроенный на самый низкий уровень RDS x Qoss.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 57Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | TrenchFET |
| Drain Source On State Resistance | 0.0034Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 81.2А |
| Рассеиваемая Мощность | 57Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.6V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0034Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 65 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |