SISS26LDN-T1-BE3,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 81.2 A, 0.0043 ohm, PowerPAK 1212-S, Surface Mount
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046489976
- Артикул
- SISS26LDN-T1-BE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.001
- No. of Pins
- 8Pins
- Channel Type
- N Channel
- Product Range
- TrenchFET Gen IV Series
Цена по запросу
(от 212 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| No. of Pins | 8Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Product Range | TrenchFET Gen IV Series |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Case Style | PowerPAK 1212-S |
| Особенности | - |
| Drain Source Voltage Vds | 60V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Drain Current Id | 81.2A |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 2.5V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 81.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 57W |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0043 Ом |