SISS23DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -50А; Idm: -200А; 36Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062304537
- Артикул
- SISS23DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 3.3mm
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.2
Цена по запросу
(от 66 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 3.3mm |
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.2 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Si |
| Power Dissipation (Pd) | 57W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 57 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 195 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 50A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 11.5 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 27 A |