SISS23DN-T1-GE3, MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005513315
- Артикул
- SISS23DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 3.3mm
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.43
Цена по запросу
(от 120,94 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 3.3mm |
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.43 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Power Dissipation (Pd) | 57W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 57 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 195 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 50A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 11.5 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 27 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |