SISS12DN-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 40 V, 60 A, 0.00161 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000732238
- Артикул
- SISS12DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 3
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 253 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 65.7 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00161 Ом |