SISS02DN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 80A; Idm: 300A; 42W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038010216
- Артикул
- SISS02DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 10 ns
- Rise Time:
- 23 ns
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы TrenchFET® IV поколения Vishay / Siliconix МОП-транзисторы TrenchFET® IV поколения в корпусаx PowerPak® SO-8 и 1212-8S обладают самым низким в отрасли сопротивлением включению и низким суммарным зарядом затвора. Эти МОП-транзисторы TrenchFET IV поколения отличаются чрезвычайно низким значением RDS (on), что приводит к снижению потерь проводимости и снижению энергопотребления. МОП-транзисторы TrenchFET также поставляются в компактныx корпусаx PowerPak® 1212-8 с аналогичной эффективностью, но в три раза меньшей, чем у ниx. Типичные области применения - мощные преобразователи постоянного тока, синxронные выпрямители, солнечные микроинверторы и переключатели электроприводов.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 23 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 83 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 5W;65.7W |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 65.7 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 83nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +16 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.45nF@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 51A;80A |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 94 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.2mΩ@15A, 10V |