SISHA14DN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 17W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033684025
- Артикул
- SISHA14DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 3.3mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 59,82 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор напряжением 30 В (D-S). Мощный МОП-транзистор TrenchFET® поколения IV
Технические параметры
| Width | 3.3mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 1212-8SH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Power Dissipation (Pd) | 17W |
| Особенности | TrenchFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 26.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 19.4 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 9.4nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.45nF@15V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 19.7A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 8 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 19.4pF@15V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 17 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0085Ω@4.5V, 8A |