SISHA12ADN-T1-GE3, MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 22A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004729488
- Артикул
- SISHA12ADN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 10 ns
- Rise Time:
- 10 ns
- Tradename:
- PowerPAK
Цена по запросу
(от 117,74 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор напряжением 30 В (D-S). Мощный МОП-транзистор TrenchFET® поколения IV
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Tradename: | PowerPAK |
| Вес, г | 0.92 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 29.5 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 28 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 51 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.8…1.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |