SISHA10DN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 80A; 25W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070052089
- Артикул
- SISHA10DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 3.3mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 135,66 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор напряжением 30 В (D-S). Мощный МОП-транзистор TrenchFET® поколения IV
Технические параметры
| Width | 3.3mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | PowerPAK 1212-8SH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 39Вт |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 39 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.0028Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 30А |
| Рассеиваемая Мощность | 39Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0028Ом |