Моя заявка (0)
SISHA04DN-T1-GE3, MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 30.9A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004641850
Артикул
SISHA04DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Fall Time:
10 ns
Rise Time:
17 ns
Tradename:
PowerPAK
Цена по запросу
(от 128,25 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор напряжением 30 В (D-S). Мощный МОП-транзистор TrenchFET ® поколения IV

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Fall Time:10 ns
Rise Time:17 ns
Tradename:PowerPAK
Вес, г0.92
Technology:Si
Channel TypeN Channel
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerPAK-1212-8
Transistor Type:1 N-Channel
Power Dissipation52Вт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:51 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:52 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-16 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:24 ns
Typical Turn-Off Delay Time:25 ns
Id - Continuous Drain Current:40 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:105 S
Drain Source On State Resistance0.0018Ом
Rds On - Drain-Source Resistance:2.15 mOhms
Линейка ПродукцииTrenchFET
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.1 V
Непрерывный Ток Стока40А
Рассеиваемая Мощность52Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.2В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK 1212
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0018Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А30.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация