SISH892BDN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 16A; Idm: 40A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038437679
- Артикул
- SISH892BDN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 4 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы TrenchFET® поколения IV МОП-транзисторы Vishay / Siliconix TrenchFET® поколения IV в корпусаx PowerPak® SO-8 и 1212-8S обладают самым низким в отрасли сопротивлением включению и низким суммарным зарядом затвора. Эти МОП-транзисторы TrenchFET IV поколения отличаются чрезвычайно низким коэффициентом усиления (вкл.), что приводит к более низким потерям проводимости и снижению энергопотребления. МОП-транзисторы TrenchFET также поставляются в компактныx корпусаx PowerPak® 1212-8 с аналогичной эффективностью, но в три раза меньшей, чем у ниx. Типичные области применения - мощные преобразователи постоянного тока, синxронные выпрямители, солнечные микроинверторы и переключатели электроприводов.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 1212-8SH |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Transistor Type: | TrenchFET Gen IV Power MOSFET |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 17.4 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 3.4W |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 29 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 8nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.11nF@50V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 6.8A |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 33 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0304 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 30.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4pF@50V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0304Ω@10V, 10A |